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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(g没带罩子他c了我一节课，没带bra被捏了一节课ǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)没带罩子他c了我一节课，没带bra被捏了一节课膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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