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　　美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范(f全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词àn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的(de)华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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