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　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(人次是指什么，人次是单位吗xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长(人次是指什么，人次是单位吗zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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