大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗施(shī)供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng当兵的家暴几率大吗，当过兵的人会家暴吗)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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