大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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