大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗范产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cú偷吃别人的屎犯法吗，偷吃别人的屎违法吗n)储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不(bù)是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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