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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储(chǔ)成玉元君的身世是什么，成玉元君是什么身份芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omd成玉元君的身世是什么，成玉元君是什么身份ia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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