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　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品异丁烯结构式图片，异丁烯结构式怎么写(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆异丁烯结构式图片，异丁烯结构式异丁烯结构式图片，异丁烯结构式怎么写怎么写原厂签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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