大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审金地集团是国企还是民企，金地集团房地产排名查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān金地集团是国企还是民企，金地集团房地产排名)大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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