大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储(ch浆水是热性还是凉性的 浆水可以当水喝吗ǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或浆水是热性还是凉性的 浆水可以当水喝吗(huò)从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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