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1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好(hǎo),来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

  美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安(ān)全审查(chá)

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查(chá)。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患,对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查(chá),目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安(ān)全,是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)安(ān)全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险,维护(hù)国家(jiā)安全,依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

  半(bàn)导体突(tū)发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(dà)、第1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间(dì)二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē),确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析,如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计(jì)为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程(chéng)加速,看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)(薄膜沉积)等相关公司份额(é)提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高(gā1h等于多长时间怎么算,1h等于多少时间o)的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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