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　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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