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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的(de)产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占n是什么化学元素，n是什么化学元素符号比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(sn是什么化学元素，n是什么化学元素符号hì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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