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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。<n是正极还是负极，L是正极还是负极/strong>为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国n是正极还是负极，L是正极还是负极网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Zn是正极还是负极，L是正极还是负极nm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。