大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(garctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？ēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比arctan1怎么算出来的，arctan1怎么算？33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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