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　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭>

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光螺蛳粉去掉酸笋还臭吗，螺蛳粉是汤臭还是笋臭在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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