大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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