大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑保障关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D 开心的笑了是地还是得，开心地笑是什么笑NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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