大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进形容农村的词语有哪些成语，形容农村的词语有哪些四个字行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全(quán)的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(形容农村的词语有哪些成语，形容农村的词语有哪些四个字chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高(gāo)的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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